高纯氧化钇喷粉 · 刻蚀机腔体

氧化钇系列

纯度≥99.95%粒径 15-100μm(可定制)密度 1.5-1.7g/cm³稀土材料现货供应
高纯氧化钇喷粉 · 刻蚀机腔体 纯度≥99.95% 产品实拍
D50偏差
≤±2μm
颗粒形态
球形团聚(团聚烧结工艺)
霍尔流速
≤25s/50g

产品概述

刻蚀工艺中,氧化钇涂层直接暴露在高能氟基/氯基等离子体轰击之下,抗腐蚀性能是涂层寿命的核心指标。本款高纯氧化钇喷粉(纯度≥99.95%)针对刻蚀工况定向优化,经专项耐腐蚀测试验证:在CF₄/O₂等离子体环境下(13.56MHz, 500W),涂层刻蚀速率低至0.8μm/h;在Cl₂/BCl₃混合气氛中(功率800W),刻蚀速率≤1.2μm/h,均优于同类进口产品。涂层在持续等离子体轰击下不发生明显相变,XRD分析显示200次刻蚀循环后仍保持稳定的立方Y₂O₃晶相,无杂相生成。产品粒度范围15-100μm可定制,D50偏差≤±2μm,松装密度1.5-1.7g/cm³,适配主流大气等离子喷涂(AP...

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检测项目规格指标
产品型号高纯氧化钇喷粉_刻蚀机腔体专用
主成分Y₂O₃纯度≥99.95%
粒度范围15-100μm(可定制)
D50偏差≤±2μm
颗粒形态球形团聚(团聚烧结工艺)
霍尔流速≤25s/50g
松装密度1.5-1.7g/cm³
涂层结合强度≥45MPa
涂层孔隙率<1.5%
刻蚀速率(CF₄/O₂)0.8μm/h(13.56MHz, 500W)
刻蚀速率(Cl₂/BCl₃)≤1.2μm/h(800W)
相变稳定性200次刻蚀循环后保持立方Y₂O₃晶相,无杂相
推荐喷涂工艺大气等离子喷涂(APS)
适用设备刻蚀机腔体、Focus Ring等
验证应用多家半导体Fab厂量产验证

* 以上为产品规格指标,实际每批次指标以随货 COA 检测报告为准。

高纯度材料,杂质含量极低,满足半导体级应用需求
优异的抗等离子体侵蚀性能,延长设备使用寿命
良好的化学稳定性和热稳定性,在高温环境下性能稳定
适合半导体装备防护涂层,提升设备品质
低摩擦系数,绝缘性能优异,保障设备安全运行
1

半导体腔体防护涂层,提高设备耐腐蚀性

2

静电卡盘表面处理,优化晶圆加工环境

3

刻蚀机内部组件防护,减少微污染

4

真空设备零部件涂层,延长维护周期

5

电子元件绝缘层,保障电路安全

产品详情

高纯氧化钇喷粉_半导体刻蚀机腔体喷涂材料是昆山照动贸易针对刻蚀工况定向优化的高性能喷涂粉体。在半导体刻蚀工艺中,氧化钇涂层直接暴露在高能氟基/氯基等离子体轰击之下,抗腐蚀性能是涂层寿命的核心指标。若涂层抗腐蚀性能不足,会导致涂层快速消耗、剥落,产生大量微粒污染晶圆表面,严重影响良率和设备稳定性。传统的氧化钇喷涂粉在刻蚀工况下往往表现不佳,刻蚀速率高,相变不稳定,使用寿命短。

该产品纯度≥99.95%,经专项耐腐蚀测试验证:在CF₄/O₂等离子体环境下(13.56MHz, 500W),涂层刻蚀速率低至0.8μm/h;在Cl₂/BCl₃混合气氛中(功率800W),刻蚀速率≤1.2μm/h,均优于同类进口产品。涂层在持续等离子体轰击下不发生明显相变,XRD分析显示200次刻蚀循环后仍保持稳定的立方Y₂O₃晶相,无杂相生成。产品粒度范围15-100μm可定制,D50偏差≤±2μm,松装密度1.5-1.7g/cm³,适配主流大气等离子喷涂(APS)设备。涂层致密(孔隙率<1.5%),结合强度≥45MPa,可有效降低刻蚀副产物对晶圆表面的微粒污染,延长腔体PM(Predictive Maintenance)周期。

昆山照动贸易作为专业氧化钇供应商,产品已在多家半导体Fab厂实现量产应用,从原材料到成品全流程执行严格的质量控制,确保每批次产品在耐腐蚀性能、粒度分布、涂层性能等关键参数上高度一致,是替代进口刻蚀机腔体喷涂材料的高性价比之选。

核心特性详解

特性一:CF₄/O₂环境下刻蚀速率0.8μm/h,耐腐蚀性能行业领先

产品经专项耐腐蚀测试验证:在CF₄/O₂等离子体环境下(13.56MHz, 500W),涂层刻蚀速率低至0.8μm/h;在Cl₂/BCl₃混合气氛中(功率800W),刻蚀速率≤1.2μm/h,均优于同类进口产品(通常>1.5μm/h)。低刻蚀速率意味着涂层在刻蚀工艺中消耗缓慢,可显著延长腔体的维护周期(PM Interval)至12-18个月,降低设备停机损失和维护成本。优异的耐腐蚀性能源于产品的高纯度(≥99.95%)和致密的涂层结构(孔隙率<1.5%),可有效阻隔等离子体对涂层的侵蚀。

特性二:200次刻蚀循环后晶相稳定,无相变

涂层在持续等离子体轰击下不发生明显相变,XRD分析显示200次刻蚀循环后仍保持稳定的立方Y₂O₃晶相,无杂相生成。相变稳定性对于涂层寿命至关重要,若涂层在等离子体轰击下发生相变(如从立方相转变为单斜相),会导致体积膨胀、开裂剥落,严重影响涂层寿命和晶圆良率。产品的高纯度(≥99.95%)和优化的微观结构确保涂层在长期服役过程中保持稳定的晶相结构,不开裂剥落,可有效延长部件使用寿命至18-24个月。

特性三:粒度范围15-100μm可定制,适配多种喷涂工艺

产品粒度范围15-100μm可定制,D50偏差≤±2μm,松装密度1.5-1.7g/cm³,适配主流大气等离子喷涂(APS)设备。不同设备、不同工况对喷涂粉的粒度要求不同,提供可定制的粒度范围可帮助客户根据实际需求选择最优规格,提高喷涂效率和涂层质量。产品采用先进的团聚烧结工艺制备,颗粒呈均匀球形,霍尔流速≤25s/50g,流动性优异,在等离子喷涂过程中送粉顺畅稳定,不脉动、不堵枪,涂层沉积效率可达72%以上。

特性四:结合强度≥45MPa,反复热循环下不开裂剥落

产品涂层结合强度≥45MPa,远优于行业平均水平(通常≤35MPa)。在半导体刻蚀工艺中,腔体频繁经历等离子体轰击加热(腔内温度瞬时可达800°C以上)与冷却吹扫的交替循环,热震疲劳是涂层开裂剥落的首要原因。高结合强度确保涂层在反复热循环工况下不易开裂、剥落,可有效延长部件的维护周期(PM Interval)。在1000次热震循环测试后,涂层表面无可见裂纹、无剥落,结合强度仅衰减≤8%,确保长期可靠运行。

应用场景详解

场景一:半导体刻蚀设备腔体防护

在ICP/RIE刻蚀设备中,腔体内壁长期承受CF₄/O₂或Cl₂/BCl₃等腐蚀性等离子体的高频轰击。使用高纯氧化钇喷粉制备的涂层,在CF₄/O₂环境下刻蚀速率低至0.8μm/h,在Cl₂/BCl₃混合气氛中刻蚀速率≤1.2μm/h,显著优于同类进口产品。涂层在200次刻蚀循环后仍保持稳定的立方Y₂O₃晶相,无杂相生成,不开裂剥落。结合强度≥45MPa,在反复热循环工况下长期稳定运行,使用寿命可达12-18个月,显著延长腔体维护周期,降低设备停机损失和维护成本。

场景二:刻蚀设备Focus Ring涂层制备

Focus Ring是半导体刻蚀设备中的关键精密部件,直接暴露在高能等离子体环境下,对涂层的耐腐蚀性能和尺寸精度要求极高。高纯氧化钇喷粉涂层刻蚀速率低(0.8μm/h),200次刻蚀循环后晶相稳定,无相变,可有效延长Focus Ring的使用寿命至18-24个月。涂层结合强度≥45MPa,在反复热循环工况下不易开裂剥落,确保长期可靠运行。粒度范围15-100μm可定制,可根据Focus Ring的具体规格选择最优粒度,提高喷涂效率和涂层质量,降低备件更换频率和成本。

场景三:刻蚀设备Shower Head防护涂层

Shower Head是半导体刻蚀设备中的关键部件,负责均匀分布工艺气体,对涂层的均匀性和耐腐蚀性能要求极高。高纯氧化钇喷粉采用先进的团聚烧结工艺制备,颗粒呈均匀球形,流动性优异,可在Shower Head复杂形状表面形成均匀防护层,涂层厚度均匀性±3%,确保工艺气体均匀分布。涂层刻蚀速率低(0.8μm/h),孔隙率<1.5%,可有效阻隔等离子体对基体的侵蚀,延长Shower Head的使用寿命至12-18个月。结合强度≥45MPa,在反复热循环工况下不易开裂剥落,确保长期稳定运行。

常见问题

Q1:高纯氧化钇喷粉的刻蚀速率如何?能否延长腔体维护周期?

A1:产品经专项耐腐蚀测试验证:在CF₄/O₂等离子体环境下(13.56MHz, 500W),涂层刻蚀速率低至0.8μm/h;在Cl₂/BCl₃混合气氛中(功率800W),刻蚀速率≤1.2μm/h,均优于同类进口产品(通常>1.5μm/h)。低刻蚀速率意味着涂层在刻蚀工艺中消耗缓慢,可显著延长腔体的维护周期(PM Interval)至12-18个月,降低设备停机损失和维护成本。

Q2:产品在刻蚀过程中是否会发生相变?如何保证涂层寿命?

A2:涂层在持续等离子体轰击下不发生明显相变,XRD分析显示200次刻蚀循环后仍保持稳定的立方Y₂O₃晶相,无杂相生成。相变稳定性对于涂层寿命至关重要,若涂层在等离子体轰击下发生相变,会导致体积膨胀、开裂剥落,严重影响涂层寿命和晶圆良率。产品的高纯度(≥99.95%)和优化的微观结构确保涂层在长期服役过程中保持稳定的晶相结构,不开裂剥落,可有效延长部件使用寿命至18-24个月。

Q3:产品的粒度范围是否可定制?能否适配不同喷涂设备?

A3:产品粒度范围15-100μm可定制,D50偏差≤±2μm,松装密度1.5-1.7g/cm³,适配主流大气等离子喷涂(APS)设备。不同设备、不同工况对喷涂粉的粒度要求不同,提供可定制的粒度范围可帮助客户根据实际需求选择最优规格,提高喷涂效率和涂层质量。我们可根据客户的喷涂设备和工艺要求,提供针对性的技术支持和工艺优化建议,确保产品与设备完美匹配。

如需获取高纯氧化钇喷粉_半导体刻蚀机腔体喷涂材料的技术参数表、COA报告或申请样品测试,请联系昆山照动贸易:张经理 15962635247(微信同号),我们提供免费技术咨询和定制化喷涂材料解决方案。

等离子枪型:F4

工作气体:Ar 42 SLPM,H₂ 11 SLPM

喷涂电流:550A

喷涂距离:120mm