Y2O3氧化钇喷粉 · 真空腔体喷涂
氧化钇系列
产品概述
在半导体PVD/CVD及离子注入等工艺中，真空腔体需要在10⁻⁶至10⁻¹⁰ Torr的超高真空(UHV)环境下长时间稳定运行。腔体内壁的氧化钇涂层若放气率过高，将直接劣化真空度，导致工艺漂移甚至批次报废。本款Y₂O₃喷粉专为超高真空应用开发，涂层经150°C×24h真空烘烤后，总放气率(Total Outgassing Rate)低于1×10⁻¹² Torr·L/s·cm²，达到UHV级极低放气标准。产品纯度≥99.95%，严格控制低蒸汽压杂质(Na、K、Zn、Pb等<3ppb)，避免高温烘烤时杂质挥发污染真空环境。涂层致密度极高(孔隙率<1.0%，经热等静压HIP后处理)，闭孔结构有效阻隔...
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| 检测项目 | 规格指标 |
|---|---|
| 产品型号 | KD-Y2O3-UHV |
| 主成分Y₂O₃纯度 | ≥99.95% |
| 粒径范围 | 15-53μm / 15-75μm（可定制） |
| 颗粒形态 | 球形团聚（团聚烧结工艺） |
| 霍尔流速 | ≤22s/50g |
| 松装密度 | 1.5-1.7g/cm³ |
| 涂层总放气率 | <1×10⁻¹² Torr·L/s·cm² |
| 低蒸汽压杂质（Na/K/Zn/Pb） | <3ppb |
| 涂层孔隙率（HIP后） | <1.0% |
| 涂层结合强度 | ≥50MPa |
| 热循环耐受 | ≥800次（RT→600°C） |
| 喷涂成型率 | ≥98% |
| HIP后处理 | 是（热等静压致密化） |
| 适配喷涂工艺 | APS / VPS |
| 适用真空范围 | 10⁻⁶ ~ 10⁻¹⁰ Torr（UHV） |
| 包装规格 | 25kg/桶 |
* 以上为产品规格指标，实际每批次指标以随货 COA 检测报告为准。
半导体腔体防护涂层，提高设备耐腐蚀性
静电卡盘表面处理，优化晶圆加工环境
刻蚀机内部组件防护，减少微污染
真空设备零部件涂层，延长维护周期
电子元件绝缘层，保障电路安全
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产品详情
KD-Y2O3-UHV Y2O3氧化钇喷粉是昆山照动贸易专为半导体超高真空（UHV）应用场景开发的高性能陶瓷喷涂材料。在半导体PVD/CVD及离子注入等核心工艺中，真空腔体需要在10-6至10-10 Torr的超高真空环境下长时间稳定运行。腔体内壁的氧化钇涂层如果放气率过高，会持续释放吸附气体和水汽，直接劣化真空度，导致工艺漂移甚至整批晶圆报废。
KD-Y2O3-UHV从原料纯度到涂层后处理进行了全链路优化。产品纯度≥99.95%，严格控制低蒸汽压杂质（Na、K、Zn、Pb等含量均低于3ppb），避免在高温烘烤除气过程中杂质挥发污染真空环境。涂层经热等静压（HIP）后处理，孔隙率降至1.0%以下，形成闭孔结构，有效阻隔气体沿开口气孔向真空侧渗透的路径。经150°C×24h真空烘烤后，涂层总放气率低于1×10-12 Torr·L/s·cm2，达到UHV级极低放气标准。
这款Y2O3氧化钇喷粉适配主流APS/VPS喷涂工艺，喷涂成型率≥98%，涂层结合强度≥50MPa，可承受从室温到600°C的反复热循环800次以上无开裂。适用于刻蚀腔体、沉积腔体、传输腔体及各类超高真空系统部件的防护涂层制备，是保障半导体真空工艺稳定运行的关键材料。
核心特性详解
特性一：UHV级超低放气率，保障10-10 Torr真空度
KD-Y2O3-UHV Y2O3氧化钇喷粉涂层经150°C×24h真空烘烤后，总放气率（Total Outgassing Rate）低于1×10-12 Torr·L/s·cm2，达到UHV级极低放气标准。超低放气率意味着涂层在真空腔体运行过程中不会持续释放气体分子，能够维持腔体内部10-10 Torr量级的超高真空环境，确保PVD/CVD等敏感工艺的参数稳定性和重复性。
特性二：低蒸汽压杂质<3ppb，高温烘烤无污染
在超高真空腔体的烘烤除气过程中（通常150-250°C），低蒸汽压杂质如Na、K、Zn、Pb等容易挥发析出，污染真空环境和晶圆表面。KD-Y2O3-UHV产品纯度≥99.95%，将上述杂质严格控制在3ppb以下，确保高温烘烤过程中涂层自身不成为污染源，保护真空环境的洁净度和晶圆良率。
特性三：HIP后处理孔隙率<1.0%，闭孔阻气
KD-Y2O3-UHV涂层经过热等静压（HIP）后处理，在高温高压环境下将涂层内部残余开口气孔压实闭合，孔隙率降至1.0%以下。闭孔结构切断了气体沿连通孔隙向真空侧渗透的路径，从根本上降低涂层的气体渗透率，配合超低放气率特性，双重保障真空腔体的极限真空度和长期稳定性。
特性四：结合强度≥50MPa，800次热循环无开裂
KD-Y2O3-UHV Y2O3氧化钇喷粉涂层结合强度≥50MPa，成型率≥98%，可承受从室温到600°C的反复热循环800次以上无开裂剥落。在真空腔体频繁的工艺升降温和烘烤除气循环中，涂层始终保持完整性和附着力，不会因热应力累积而产生微裂纹导致放气率上升。
应用场景详解
场景一：PVD设备超高真空腔体防护
PVD（物理气相沉积）设备的真空腔体需要在10-8 Torr以上的超高真空环境中运行，任何放气源都会影响薄膜纯度和沉积速率。KD-Y2O3-UHV Y2O3氧化钇喷粉涂层总放气率<1×10-12 Torr·L/s·cm2，HIP后处理孔隙率<1.0%，能有效隔绝腔体基材的气体渗透，维持极限真空度，保障PVD薄膜品质。
场景二：离子注入设备真空系统部件涂层
离子注入设备的束线腔体和靶腔对真空度要求极高，且运行过程中部件温度波动大。KD-Y2O3-UHV涂层结合强度≥50MPa，能承受800次以上热循环无开裂，低蒸汽压杂质<3ppb确保烘烤除气时不产生二次污染，是离子注入设备真空系统部件防护的理想涂层材料。
场景三：CVD设备传输腔体与.loadlock涂层
CVD设备的传输腔体和Loadlock腔体在晶圆传输过程中频繁进行抽真空-破空-再抽真空的循环操作，对涂层的气密性和热循环耐受性要求极高。KD-Y2O3-UHV闭孔结构涂层有效阻隔气体渗透，配合超低放气率特性，确保腔体在快速抽真空循环中迅速达到目标真空度，提升产线吞吐量。
常见问题
Q1：KD-Y2O3-UHV Y2O3氧化钇喷粉的放气率是多少？适用于什么真空等级？
A1：KD-Y2O3-UHV涂层经150°C×24h真空烘烤后，总放气率低于1×10-12 Torr·L/s·cm2，达到UHV级（超高真空）极低放气标准，适用于10-6至10-10 Torr真空范围的半导体设备腔体。
Q2：HIP后处理对涂层性能有什么影响？
A2：HIP（热等静压）后处理在高温高压环境下将涂层内部残余开口气孔压实闭合，使孔隙率降至1.0%以下。闭孔结构切断了气体渗透路径，从根本上降低涂层的气体渗透率和放气率，双重保障真空腔体的极限真空度。
Q3：KD-Y2O3-UHV适用于哪些半导体设备的真空腔体？
A3：KD-Y2O3-UHV Y2O3氧化钇喷粉适配APS/VPS喷涂工艺，广泛应用于PVD设备腔体、CVD传输腔体、离子注入设备束线腔体、Loadlock腔体等各类超高真空系统部件的防护涂层制备。
如需获取KD-Y2O3-UHV Y2O3氧化钇喷粉的放气率测试报告或申请样品，请联系昆山照动贸易：张经理 15962635247（微信同号），我们提供专业技术咨询和超高真空涂层材料解决方案。
等离子枪型：F4
工作气体：Ar 42 SLPM，H₂ 11 SLPM
喷涂电流：550A
喷涂距离：120mm